D. X 線、γ線（外部照射）　
E. 電子線

a. 深部量百分率〈PDD〉

　SSD (Source-Surface Distance) 一定とし, 表面での照射野をA0とする。
　ビーム中心軸上の水中の深さdを変えながら測定した線量をD(d, A0) としたとき, D(d, A0) の最大値(もしくは基準深drでの線量) をDr(A0) としたとき上記の式で表される

・特性
　距離依存性(Mayneord の法則)
　：SSDが大きくなると,PDDも大きくなる

○X線のPDD

　（2017　記述、2013　41、2012　43）

・X線では深さによる阻止能比の変化量が少ないため、
　深部電離百分率曲線≒深部量百分率となる

・2次電子平衡が成立する点で深部量が最大となり、
　それ以降は深部量が少なくなる

・入射光子のエネルギーが高いほど
　→　二次電子の飛程が長くなる
　　→　2次電子平衡が表面では成立しない
　　　→　ビルドアップがより深部になる
　　→　ビルドアップ領域以降の深部の線量が多くなる
　→　前方散乱が多くなる
　　→　照射野の散乱線への影響は少なくなる

・照射野が小さいほど
　→　散乱線の影響が小さくなる
　　→　ビルドダウン、ビルドアップが顕著になる
　　　→　深部でPDDが小さくなる

・測定深が深いほど、照射野が小さいほど、
　側方二次電子平衡が成立しなくなる

・SSDが大きくなるほど、
　PDDは大きくなるが、
　深部吸収線量は小さくなり、
　半影は小さくなる

・不均質媒質中におけるPPD

＊ビルドアップ効果：多重散乱によるもの
　ビルドアップ：低密度から高密度へ
　ビルドダウン：高密度から低密度へ

＊側方二次電子平衡（LSE）
：照射野が変わってもPDDに変化が無くなる状態

○電子線のPDD

　（2017　52、2015　記述、2014　07、2013　48）

・電子線はファントム内で深いほど、
　線質が硬くなるたり、
　平均制限質量衝突阻止能比が大きくなり、
　電離量と吸収線量に乖離が生じるため、
　以下の式となる
深部量百分率（PDD）
　＝　深部電離量百分率曲線（PDI）×　各深さの制限質量衝突阻止能比　

・高エネルギーなほど
　→　ビルドアップ効果が薄れる
　　→　表面線量が大きくなる
　→　最大深は深くなる
　→　深部における曲線の傾斜は穏やかになる
　→　散乱角は小さく、飛程は長い
　　→　側方電子平衡が成立する照射野は大きい

・照射野が小さい（基準照射野以下）ほど
　→　最大深が浅くなる、最大飛程は変化しない

b. 組織空中線量比〈TAR〉

c. 組織最大線量比〈TMR： tissue-maximum ratio〉

（2014　45）
　STD (通常 Source Iso-center Distance)を一定つまり,検出器を一定の位置に固定し, その位置での照射野の大きさをAとする
　検出器までの水の深さdを変えながら測定した線量D(d, A0), D(d, A) の最大値(もしくは基準深drでの線量) Dr(A) で上記の式で表される

d. 組織ファントム線量比〈TPR〉

＊相対線量

　（2014　45）