2.線量計測 ― PDD / TAR / TMR / TPR ―

D. X 線、γ線(外部照射) 
E. 電子線

a. 深部量百分率〈PDD〉

 SSD (Source-Surface Distance) 一定とし, 表面での照射野をA0とする。
 ビーム中心軸上水中の深さdを変えながら測定した線量をD(d, A0) としたとき, D(d, A0) の最大値(もしくは基準深drでの線量) をDr(A0) としたとき上記の式で表される

・特性
 距離依存性(Mayneord の法則)
 SSD大きくなると,PDD大きくなる

○X線のPDD

 (2017 記述、2013 41、2012 43)

・X線では深さによる阻止能比の変化量が少ないため、
 深部電離百分率曲線≒深部量百分率となる

2次電子平衡が成立する点で深部量が最大となり、
 それ以降は深部量が少なくなる

・入射光子のエネルギーが高いほど
 → 二次電子の飛程が長くなる
  → 2次電子平衡が表面では成立しない
   → ビルドアップがより深部になる
  → ビルドアップ領域以降の深部の線量が多くなる
 → 前方散乱が多くなる
  → 照射野の散乱線への影響は少なくなる

・照射野が小さいほど
 → 散乱線の影響が小さくなる
  → ビルドダウン、ビルドアップが顕著になる
   → 深部でPDDが小さくなる

・測定深が深いほど、照射野が小さいほど、
 側方二次電子平衡が成立しなくなる

・SSDが大きくなるほど、
 PDDは大きくなるが、
 深部吸収線量は小さくなり、
 半影は小さくなる

・不均質媒質中におけるPPD

*ビルドアップ効果:多重散乱によるもの
 ビルドアップ:密度から密度へ
 ビルドダウン:密度から密度へ

*側方二次電子平衡(LSE)
照射野が変わってもPDDに変化が無くなる状態

○電子線のPDD

 (2017 52、2015 記述、2014 07、2013 48)

・電子線はファントム内で深いほど、
 線質が硬くなるたり、
 平均制限質量衝突阻止能比が大きくなり、
 電離量吸収線量に乖離が生じるため、
 以下の式となる
深部量百分率(PDD)
 = 深部電離量百分率曲線PDI)× 各深さの制限質量衝突阻止能比 

・高エネルギーなほど
 → ビルドアップ効果が薄れる
  → 表面線量が大きくなる
 → 最大深は深くなる
 → 深部における曲線の傾斜は穏やかになる
 → 散乱角は小さく、飛程は長い
  → 側方電子平衡が成立する照射野は大きい

・照射野が小さい(基準照射野以下)ほど
 → 最大深が浅くなる、最大飛程は変化しない

b. 組織空中線量比〈TAR〉

c. 組織最大線量比〈TMR: tissue-maximum ratio〉

(2014 45)
 STD (通常 Source Iso-center Distance)を一定つまり,検出器を一定の位置に固定し, その位置での照射野の大きさをAとする
 検出器までの水の深さdを変えながら測定した線量D(d, A0), D(d, A) の最大値(もしくは基準深drでの線量) Dr(A) で上記の式で表される

d. 組織ファントム線量比〈TPR〉

*相対線量

 (2014 45)

  ★TMR=TPR TAR  PDD
照射野↑
線質=エネルギー↑  変化
表面からの深さ↑ ↓ 
SSD↑ 不変 不変 
STD↑ 不変 不変

 

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